アヤラ系IMI、新型パワー半導体デバイス生産開始

2015/12/20

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)工場完成    アヤラグループのエレクトロニクス企業インテグレイティド・マイクロエレクトロニクス(IMI)が、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor=IGBT)の生産を開始する。12月11日にIGBT製造工場が完成した。  IGBTはMOSFETとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー半導体...

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