アヤラ系IMI、新型パワー半導体デバイス生産開始
2015/12/20
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)工場完成 アヤラグループのエレクトロニクス企業インテグレイティド・マイクロエレクトロニクス(IMI)が、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor=IGBT)の生産を開始する。12月11日にIGBT製造工場が完成した。 IGBTはMOSFETとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー半導体...
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